Thư viện Đại học Sư Phạm Hà Nội 2

Nguồn tài liệu

TRÌNH ĐƠN TRA CỨU

DDC	537
Tác giả CN	Đỗ, Thị Hồng Nhung
Nhan đề	Ảnh hưởng của khuyết tật điểm lên hằng số mạng của bán dẫn silic : Khoá luận tốt nghiệp đại học / Đỗ Thị Hồng Nhung ; TS. Phan Thị Thanh Hồng (Hướng dẫn khoa học)
Thông tin xuất bản	H. : Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành], 2022
Mô tả vật lý	30tr. : minh họa ; 29cm
Phụ chú	ĐTTS ghi: Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2. Khoa Vật lý
Tóm tắt	Tìm hiểu về cấu trúc tinh thể của bán dẫn Si; Xây dựng lại các biểu thức giải tích xác định hằng số mạng của bán dẫn khi lý tưởng và khi có khuyết tật điểm; Tính số theo các biểu thức giải tích thu được cho Si.
Từ khóa tự do	Bán dẫn Silic
Từ khóa tự do	Vật lí
Từ khóa tự do	Tinh thể
Tác giả(bs) CN	Phan, Thị Thanh Hồng
Địa chỉ	Thư viện SP2


000	00000nam a2200000 a 4500
001	35147
002	6
004	DC4B1627-AEED-4CC3-A16F-4A20CF3CA711
008	2022 vm\| vie
009	1 0
020	\|cTL nội sinh
039	\|y20220831085525\|zhanhttm
040	\|aTVSP2
041	\|aVie
044	\|avm
082	04\|a537\|bĐ450NH
100	10\|aĐỗ, Thị Hồng Nhung
245	10\|aẢnh hưởng của khuyết tật điểm lên hằng số mạng của bán dẫn silic : \|bKhoá luận tốt nghiệp đại học / \|cĐỗ Thị Hồng Nhung ; TS. Phan Thị Thanh Hồng (Hướng dẫn khoa học)
260	\|aH. : \|bTrường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành], \|c2022
300	\|a30tr. : \|bminh họa ; \|c29cm\|e01File
500	\|aĐTTS ghi: Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2. Khoa Vật lý
502	\|aKhóa luận tốt nghiệp. Vật lý lý thuyết
504	\|aTài liệu tham khảo: cuối chính văn
520	\|a Tìm hiểu về cấu trúc tinh thể của bán dẫn Si; Xây dựng lại các biểu thức giải tích xác định hằng số mạng của bán dẫn khi lý tưởng và khi có khuyết tật điểm; Tính số theo các biểu thức giải tích thu được cho Si.
653	\|aBán dẫn Silic
653	\|aVật lí
653	\|aTinh thể
691	\|aVật lý lý thuyết
700	10\|aPhan, Thị Thanh Hồng\|eHướng dẫn khoa học
852	\|aThư viện SP2
890	\|a0\|b0\|c1\|d1
911	\|aTạ Thị Mỹ Hạnh