Thư viện Đại học Sư Phạm Hà Nội 2

Nguồn tài liệu

TRÌNH ĐƠN TRA CỨU

Luận văn
537.6 L250H
Ảnh hưởng của Ga lên nồng độ hạt từ và đặc trưng từ của vật liệu LaNI5 dùng làm điện cực âm trong pin nạp lại Ni-MH :

DDC	537.6
Tác giả CN	Lê, Thị Thu Hằng
Nhan đề	Ảnh hưởng của Ga lên nồng độ hạt từ và đặc trưng từ của vật liệu LaNI5 dùng làm điện cực âm trong pin nạp lại Ni-MH :Luận văn thạc sĩ Vật lý /Lê Thị Thu Hằng ; Lưu Tuấn Tài (hướng dẫn khoa học)
Thông tin xuất bản	H. :Trường ĐHSP HN2 [phát hành],2009
Mô tả vật lý	57tr. ;30 cm+
Phụ chú	ĐTTS ghi: Bộ giáo dục và đào tạo. Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2
Tóm tắt	Nâng cao phẩm chất, chất lượng của vật liệu làm điện cực âm trong pin nạp lại Ni - MH bằng phương pháp pha tạp nguyên tố Ga
Từ khóa tự do	Điện cực âm
Từ khóa tự do	Nguyên tố pha tạp
Từ khóa tự do	Nồng độ hạt từ
Tác giả(bs) CN	Lưu, Tuấn Tài,
Địa chỉ	100Kho Luận văn(1): LV00224


000	01045nam a2200265 4500
001	10921
002	2
004	TVSP2110010953
008	110311s2009 vm\| vie
009	1 0
039	\|a20210122194020\|blibol55\|y20110311103800\|ztuyetnt
041	\|avie
044	\|avm
082	14\|a537.6\|bL250H
100	1\|aLê, Thị Thu Hằng
245	10\|aẢnh hưởng của Ga lên nồng độ hạt từ và đặc trưng từ của vật liệu LaNI5 dùng làm điện cực âm trong pin nạp lại Ni-MH :\|bLuận văn thạc sĩ Vật lý /\|cLê Thị Thu Hằng ; Lưu Tuấn Tài (hướng dẫn khoa học)
260	\|aH. :\|bTrường ĐHSP HN2 [phát hành],\|c2009
300	\|a57tr. ;\|c30 cm+\|e01đĩa
500	\|aĐTTS ghi: Bộ giáo dục và đào tạo. Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2
520	\|aNâng cao phẩm chất, chất lượng của vật liệu làm điện cực âm trong pin nạp lại Ni - MH bằng phương pháp pha tạp nguyên tố Ga
653	\|aĐiện cực âm
653	\|aNguyên tố pha tạp
653	\|aNồng độ hạt từ
700	11\|aLưu, Tuấn Tài,\|cPGS.TS,\|ehướng dẫn khoa học
852	\|a100\|bKho Luận văn\|j(1): LV00224
890	\|a1\|b0\|c0\|d0
915	\|aLuận văn thạc sĩ vật lí\|b60.44.07\|cThạc sĩ\|dTrường Đại học Sư phạm Hà Nội 2

Dòng	Mã vạch	Nơi lưu	S.gọi Cục bộ	Phân loại	Bản sao	Tình trạng	Thành phần
1	LV00224	Kho Luận văn	537.6 L250H	Luận án, luận văn	1