• Bài trích
  • 530 T312TH
    Tinh thể nano đơn pha Si1-xGex trong tính toán lí thuyết phiếm hàm mật độ sử dụng gần đúng mật độ địa phương. /
DDC 530
Nhan đề Tinh thể nano đơn pha Si1-xGex trong tính toán lí thuyết phiếm hàm mật độ sử dụng gần đúng mật độ địa phương. / Trần Văn Quảng,…
Tóm tắt Bài báo này sử dụng lí thuyết phiếm hàm mật độ trong gần đúng mật độ địa phương thẹc hiện nghiên cứu sự tạo thành hệ tinh thể đơn pha Si1-xGex, với các giá trị khác nhau của thành phần x của Ge trong tinh thể. Kết quả tính toán tổng năng lượng thông qua các di chuyển nguyên tử trong cấu trúc cho thấy sự tồn tại của pha đơn tinh thể là bền vững.
Từ khóa tự do Cấu trúc đơn pha
Từ khóa tự do Phiếm hàm mật độ
Từ khóa tự do Tinh thể nano Si-Ge
Tác giả(bs) CN Đoàn, Thị Thúy Phượng
Tác giả(bs) CN Nguyễn Thị Hòa
Tác giả(bs) CN Nguyễn, Minh Phượng
Tác giả(bs) CN Trần, Văn Quảng
Nguồn trích ; 2018.-Số 53, tr.19-27
Địa chỉ Thư viện SP2
00000000nab a2200000 a 4500
00134710
0024
004684B76E5-4664-41F4-8A44-CC43156C943E
008 vm| vie
0091 0
039|y20220815091848|zhanhttm
040|aTVSP2
041|aVie
044|avm
08204|a530|bT312TH
24510|aTinh thể nano đơn pha Si1-xGex trong tính toán lí thuyết phiếm hàm mật độ sử dụng gần đúng mật độ địa phương. / |cTrần Văn Quảng,…
520|aBài báo này sử dụng lí thuyết phiếm hàm mật độ trong gần đúng mật độ địa phương thẹc hiện nghiên cứu sự tạo thành hệ tinh thể đơn pha Si1-xGex, với các giá trị khác nhau của thành phần x của Ge trong tinh thể. Kết quả tính toán tổng năng lượng thông qua các di chuyển nguyên tử trong cấu trúc cho thấy sự tồn tại của pha đơn tinh thể là bền vững.
653|aCấu trúc đơn pha
653|aPhiếm hàm mật độ
653|aTinh thể nano Si-Ge
70010|aĐoàn, Thị Thúy Phượng
70010|aNguyễn Thị Hòa
70010|aNguyễn, Minh Phượng
70010|aTrần, Văn Quảng
773|g2018.-Số 53, tr.19-27|w32670|x1859 - 2325
852|aThư viện SP2
911|aBùi Lan Anh

Không tìm thấy biểu ghi nào