- Khoá luận
- Ký hiệu PL/XG: 541.2 L250H
Nhan đề: Nghiên cứu tổng hợp và đặc trưng tính chất quang của chấm lượng tử cacbon, silic :
|
DDC
| 541.2 | |
Tác giả CN
| Lê, Minh Hòa | |
Nhan đề
| Nghiên cứu tổng hợp và đặc trưng tính chất quang của chấm lượng tử cacbon, silic :Khoá luận tốt nghiệp đại học /Lê Minh Hòa ; TS. Mai Xuân Dũng (Hướng dẫn khoa học) | |
Thông tin xuất bản
| H. :Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành],2016 | |
Mô tả vật lý
| 45tr. :minh hoạ ;29cm | |
Phụ chú
| ĐTTS ghi: Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2. Khoa Hóa học | |
Tóm tắt
| Tổng hợp chấm lượng tử silic (SiQDs) bằng phương pháp khử SiO2 ở pha rắn kết hợp với khắc mòn (etching) bằng HF. Tổng hợp chấm lượng tử Cacbon (CQDs) bằng phương pháp thủy nhiệt. Nghiên cứu tính chất quang của SiQDs và CQDs bằng phổ hấp thụ UV-vis và phổ phát xạ huỳnh quang PL. | |
Từ khóa tự do
| Quang học | |
Từ khóa tự do
| Chấm lượng tử Cacbon | |
Từ khóa tự do
| Nghiên cứu | |
Từ khóa tự do
| Chấm lượng tử Silic | |
Từ khóa tự do
| Chất khử hóa | |
Tác giả(bs) CN
| Mai, Xuân Dũng | |
Địa chỉ
| Thư viện SP2 |
| | 000 | 00000nam a2200000 a 4500 |
|---|
| 001 | 39523 |
|---|
| 002 | 6 |
|---|
| 004 | 0A26C19E-A03F-436C-83BE-8A9B17DCED70 |
|---|
| 008 | 2016 vm| vie |
|---|
| 009 | 1 0 |
|---|
| 020 | |cTL nội sinh |
|---|
| 039 | |y20230720163528|zhanhttm |
|---|
| 040 | |aTVSP2 |
|---|
| 041 | |aVie |
|---|
| 044 | |avm |
|---|
| 082 | 04|a541.2|bL250H |
|---|
| 100 | 10|aLê, Minh Hòa |
|---|
| 245 | 10|aNghiên cứu tổng hợp và đặc trưng tính chất quang của chấm lượng tử cacbon, silic :|bKhoá luận tốt nghiệp đại học /|cLê Minh Hòa ; TS. Mai Xuân Dũng (Hướng dẫn khoa học) |
|---|
| 260 | |aH. :|bTrường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành],|c2016 |
|---|
| 300 | |a45tr. :|bminh hoạ ;|c29cm|e01File |
|---|
| 500 | |aĐTTS ghi: Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2. Khoa Hóa học |
|---|
| 502 | |aKhóa luận tốt nghiệp đại học. Hóa lý |
|---|
| 504 | |aTài liệu tham khảo: cuối chính văn |
|---|
| 520 | |aTổng hợp chấm lượng tử silic (SiQDs) bằng phương pháp khử SiO2 ở pha rắn kết hợp với khắc mòn (etching) bằng HF. Tổng hợp chấm lượng tử Cacbon (CQDs) bằng phương pháp thủy nhiệt. Nghiên cứu tính chất quang của SiQDs và CQDs bằng phổ hấp thụ UV-vis và phổ phát xạ huỳnh quang PL. |
|---|
| 653 | |aQuang học |
|---|
| 653 | |aChấm lượng tử Cacbon |
|---|
| 653 | |aNghiên cứu |
|---|
| 653 | |aChấm lượng tử Silic |
|---|
| 653 | |aChất khử hóa |
|---|
| 691 | |aHóa lý |
|---|
| 700 | 10|aMai, Xuân Dũng|eHướng dẫn khoa học |
|---|
| 852 | |aThư viện SP2 |
|---|
| 890 | |a0|b0|c1|d1 |
|---|
| 911 | |aBùi Lan Anh |
|---|
|
Không tìm thấy biểu ghi nào
|
|
|
|