• Khoá luận
  • Ký hiệu PL/XG: 538.3 NG527TH
    Nhan đề: Tối ưu hóa cấu trúc trúc hình dạng cảm biến cho tín hiệu AMR lớn :

DDC 538.3
Tác giả CN Nguyễn, Thị Thắm
Nhan đề Tối ưu hóa cấu trúc trúc hình dạng cảm biến cho tín hiệu AMR lớn :Khóa luận tốt nghiệp /Nguyễn Thị Thắm; ThS. Lê Khắc Quynh (Hướng dẫn khoa học)
Thông tin xuất bản H. :Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2[phát hành],2016
Mô tả vật lý 34tr. :minh họa ;29cm
Phụ chú ĐTTS ghi: Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2. Khoa vật Lý
Tóm tắt Tổng quan hiệu ứng từ điện trở, nhiễu sensor, mạch cầu điện trở Wheatstone. Các phương pháp thực nghiệm: Thiết bị quay phủ, hệ quang khắc, thiết bị phún xạ, kính hiển vi quang học, quy trình chế tạo sensor.
Từ khóa tự do Tối ưu hóa, Cảm biến, Tín hiệu AMR
Tác giả(bs) CN Nguyễn, Khắc Quynh
Địa chỉ Thư viện SP2
00000000nam a2200000 a 4500
00138414
0026
004C7682C5E-0898-4A5D-9016-AF6EDE98A7DC
008 2016 vm| vie
0091 0
020|cTL nội sinh
039|y20230614094150|zlinhnt
040|aTVSP2
041|aVie
044|avm
08204|a538.3|bNG527TH
10010|aNguyễn, Thị Thắm
24510|aTối ưu hóa cấu trúc trúc hình dạng cảm biến cho tín hiệu AMR lớn :|bKhóa luận tốt nghiệp /|cNguyễn Thị Thắm; ThS. Lê Khắc Quynh (Hướng dẫn khoa học)
260|aH. :|bTrường Đại học Sư phạm Hà Nội 2[phát hành],|c2016
300|a34tr. :|bminh họa ;|c29cm|e01File
500|aĐTTS ghi: Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2. Khoa vật Lý
502|aKhóa luận tốt nghiệp đại học. Vật lý chất rắn
504|aTài liệu tham khảo: cuối chính văn
520|aTổng quan hiệu ứng từ điện trở, nhiễu sensor, mạch cầu điện trở Wheatstone. Các phương pháp thực nghiệm: Thiết bị quay phủ, hệ quang khắc, thiết bị phún xạ, kính hiển vi quang học, quy trình chế tạo sensor.
653|aTối ưu hóa, Cảm biến, Tín hiệu AMR
691|aVật lý chất rắn
70010|aNguyễn, Khắc Quynh|eHướng dẫn khoa học
852|aThư viện SP2
890|a0|b0|c1|d1
911|aNgô Thị Linh
Không tìm thấy biểu ghi nào