• Khoá luận
  • Ký hiệu PL/XG: 537 Đ450NH
    Nhan đề: Ảnh hưởng của khuyết tật điểm lên hằng số mạng của bán dẫn silic :

DDC 537
Tác giả CN Đỗ, Thị Hồng Nhung
Nhan đề Ảnh hưởng của khuyết tật điểm lên hằng số mạng của bán dẫn silic :Khoá luận tốt nghiệp đại học /Đỗ Thị Hồng Nhung ; TS. Phan Thị Thanh Hồng (Hướng dẫn khoa học)
Thông tin xuất bản H. :Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành],2022
Mô tả vật lý 30tr. :minh họa ;29cm
Phụ chú ĐTTS ghi: Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2. Khoa Vật lý
Tóm tắt Tìm hiểu về cấu trúc tinh thể của bán dẫn Si; Xây dựng lại các biểu thức giải tích xác định hằng số mạng của bán dẫn khi lý tưởng và khi có khuyết tật điểm; Tính số theo các biểu thức giải tích thu được cho Si.
Từ khóa tự do Bán dẫn Silic
Từ khóa tự do Vật lí
Từ khóa tự do Tinh thể
Tác giả(bs) CN Phan, Thị Thanh Hồng
Địa chỉ Thư viện SP2
00000000nam a2200000 a 4500
00135147
0026
004DC4B1627-AEED-4CC3-A16F-4A20CF3CA711
008 2022 vm| vie
0091 0
020|cTL nội sinh
039|y20220831085525|zhanhttm
040|aTVSP2
041|aVie
044|avm
08204|a537|bĐ450NH
10010|aĐỗ, Thị Hồng Nhung
24510|aẢnh hưởng của khuyết tật điểm lên hằng số mạng của bán dẫn silic :|bKhoá luận tốt nghiệp đại học /|cĐỗ Thị Hồng Nhung ; TS. Phan Thị Thanh Hồng (Hướng dẫn khoa học)
260|aH. :|bTrường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành],|c2022
300|a30tr. :|bminh họa ;|c29cm|e01File
500|aĐTTS ghi: Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2. Khoa Vật lý
502|aKhóa luận tốt nghiệp. Vật lý lý thuyết
504|aTài liệu tham khảo: cuối chính văn
520|aTìm hiểu về cấu trúc tinh thể của bán dẫn Si; Xây dựng lại các biểu thức giải tích xác định hằng số mạng của bán dẫn khi lý tưởng và khi có khuyết tật điểm; Tính số theo các biểu thức giải tích thu được cho Si.
653|aBán dẫn Silic
653|aVật lí
653|aTinh thể
691|aVật lý lý thuyết
70010|aPhan, Thị Thanh Hồng|eHướng dẫn khoa học
852|aThư viện SP2
890|a0|b0|c1|d1
911|aTạ Thị Mỹ Hạnh
Không tìm thấy biểu ghi nào