• Khoá luận
  • Ký hiệu PL/XG: 530.157 NG527H
    Nhan đề: Lý thuyết phiếm hàm mật độ và các cách tiếp cận khi nghiên cứu bán dẫn :

DDC 530.157
Tác giả CN Nguyễn, Văn Hưng
Nhan đề Lý thuyết phiếm hàm mật độ và các cách tiếp cận khi nghiên cứu bán dẫn :Khóa luận tốt nghiệp Đại học /Nguyễn Văn Hưng; Phạm Thị Minh Hạnh (Hướng dẫn khoa học)
Thông tin xuất bản H. :Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành],2018
Mô tả vật lý 42tr. ;29cm +
Phụ chú ĐTTS ghi: Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2. Khoa Vật Lý
Từ khóa tự do Đối xứng tinh thể
Từ khóa tự do Phiếm hàm mật độ
Từ khóa tự do Bán dẫn
Tác giả(bs) CN Phạm, Thị Minh Hạnh,
Địa chỉ 100Kho Khóa luận(1): KL07983
00000815nam a2200253 4500
00127579
0026
004TVSP2180028831
008181217s2018 vm| vie
0091 0
039|a20210122204414|blibol55|y20181217102900|zlibol55
041|avie
044|avm
08204|a530.157|bNG527H
1001|aNguyễn, Văn Hưng
24510|aLý thuyết phiếm hàm mật độ và các cách tiếp cận khi nghiên cứu bán dẫn :|bKhóa luận tốt nghiệp Đại học /|cNguyễn Văn Hưng; Phạm Thị Minh Hạnh (Hướng dẫn khoa học)
260|aH. :|bTrường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành],|c2018
300|a42tr. ;|c29cm +|e01 đĩa CD
500|aĐTTS ghi: Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2. Khoa Vật Lý
653|aĐối xứng tinh thể
653|aPhiếm hàm mật độ
653|aBán dẫn
70011|aPhạm, Thị Minh Hạnh,|eHướng dẫn khoa học
852|a100|bKho Khóa luận|j(1): KL07983
890|a1|b0|c1|d0
915|aVật lý lý thuyết
Dòng Mã vạch Nơi lưu Chỉ số xếp giá Loại tài liệu Bản sao Tình trạng Thành phần Đặt mượn
1 KL07983 Kho Khóa luận 530.157 NG527H Luận án, luận văn 1