- Luận văn
- Ký hiệu PL/XG: 530.1 PH105O
Nhan đề: Vị trí mặt phân cách của ngưng tụ Bose - Einstein hai thành phần dưới ảnh hưởng của điều kiện biên Robin :
|
DDC
| 530.1 | |
Tác giả CN
| Phan, Thị Oanh | |
Nhan đề
| Vị trí mặt phân cách của ngưng tụ Bose - Einstein hai thành phần dưới ảnh hưởng của điều kiện biên Robin :Luận văn Thạc sĩ Khoa học vật chất /Phan Thị Oanh; Nguyễn Văn Thụ (hướng dẫn khoa học) | |
Thông tin xuất bản
| H. :Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành],2017 | |
Mô tả vật lý
| 41tr. ;29cm + | |
Phụ chú
| ĐTTS ghi: Bộ Giáo dục và Đào tạo. Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 | |
Từ khóa tự do
| Sự ngưng tụ | |
Từ khóa tự do
| Vật lý lý thuyết | |
Tác giả(bs) CN
| Nguyễn, Văn Thụ, | |
Địa chỉ
| 100Kho Luận văn(1): LV02252 |
| | 000 | 00835nam a2200241 4500 |
|---|
| 001 | 26254 |
|---|
| 002 | 2 |
|---|
| 004 | TVSP2170027435 |
|---|
| 008 | 170626s2017 vm| vie |
|---|
| 009 | 1 0 |
|---|
| 039 | |a20210122203758|blibol55|y20170626105300|ztrangdt |
|---|
| 041 | |avie |
|---|
| 044 | |avm |
|---|
| 082 | 04|a530.1|bPH105O |
|---|
| 100 | 1|aPhan, Thị Oanh |
|---|
| 245 | 10|aVị trí mặt phân cách của ngưng tụ Bose - Einstein hai thành phần dưới ảnh hưởng của điều kiện biên Robin :|bLuận văn Thạc sĩ Khoa học vật chất /|cPhan Thị Oanh; Nguyễn Văn Thụ (hướng dẫn khoa học) |
|---|
| 260 | |aH. :|bTrường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành],|c2017 |
|---|
| 300 | |a41tr. ;|c29cm +|e01 đĩa |
|---|
| 500 | |aĐTTS ghi: Bộ Giáo dục và Đào tạo. Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 |
|---|
| 653 | |aSự ngưng tụ |
|---|
| 653 | |aVật lý lý thuyết |
|---|
| 700 | 11|aNguyễn, Văn Thụ,|eHướng dẫn khoa học |
|---|
| 852 | |a100|bKho Luận văn|j(1): LV02252 |
|---|
| 890 | |a1|b0|c1|d1 |
|---|
| 915 | |aVật lí lí thuyết và Vật lí toán |
|---|
|
| Dòng |
Mã vạch |
Nơi lưu |
Chỉ số xếp giá |
Loại tài liệu |
Bản sao |
Tình trạng |
Thành phần |
Đặt mượn |
|
1
|
LV02252
|
Kho Luận văn
|
530.1 PH105O
|
Luận án, luận văn
|
1
|
|
|
|
|
|
|
|