- Luận văn
- Ký hiệu PL/XG: 515.842 C108H
Nhan đề: Nghiên cứu hiệu ứng quang dẫn InSb trong dải sóng hồng ngoại :
DDC
| 515.842 |
Tác giả CN
| Cao, Thị Minh Hiền |
Nhan đề
| Nghiên cứu hiệu ứng quang dẫn InSb trong dải sóng hồng ngoại :Luận văn thạc sĩ Khoa học Vật chất /Cao Thị Minh Hiền ; Bùi Xuân Chiến (hướng dẫn khoa học) |
Thông tin xuất bản
| H. :Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành],2014 |
Mô tả vật lý
| 78tr. ;29cm. + |
Tóm tắt
| Nghiên cứu tổng quan về linh kiện quang trở ; phương pháp chế tạo mẫu, xây dựng hệ đo năng suất phát hiện riêng D* của bán dẫn vùng cấm hẹp InSb trong dải sóng hồng ngoại ở nhiệt độ -196oC |
Từ khóa tự do
| Hiệu ứng quang dẫn InSb |
Từ khóa tự do
| Vật lí |
Tác giả(bs) CN
| Bùi, Xuân Chiến |
Địa chỉ
| 100Kho Luận văn(1): LV01498 |
| 000 | 00902nam a2200241 4500 |
---|
001 | 23620 |
---|
002 | 2 |
---|
004 | TVSP2150023693 |
---|
008 | 150911s2014 vm| vie |
---|
009 | 1 0 |
---|
039 | |a20210122202604|blibol55|y20150911091900|zbantx |
---|
041 | |avie |
---|
044 | |avm |
---|
082 | 04|a515.842|bC108H |
---|
100 | 1|aCao, Thị Minh Hiền |
---|
245 | 10|aNghiên cứu hiệu ứng quang dẫn InSb trong dải sóng hồng ngoại :|bLuận văn thạc sĩ Khoa học Vật chất /|cCao Thị Minh Hiền ; Bùi Xuân Chiến (hướng dẫn khoa học) |
---|
260 | |aH. :|bTrường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành],|c2014 |
---|
300 | |a78tr. ;|c29cm. +|e01 bản tóm tắt + 01 đĩa CD |
---|
520 | |aNghiên cứu tổng quan về linh kiện quang trở ; phương pháp chế tạo mẫu, xây dựng hệ đo năng suất phát hiện riêng D* của bán dẫn vùng cấm hẹp InSb trong dải sóng hồng ngoại ở nhiệt độ -196oC |
---|
653 | |aHiệu ứng quang dẫn InSb |
---|
653 | |aVật lí |
---|
700 | 11|aBùi, Xuân Chiến |
---|
852 | |a100|bKho Luận văn|j(1): LV01498 |
---|
890 | |a1|b0|c1|d0 |
---|
915 | |aVật lí chất rắn |
---|
|
Dòng |
Mã vạch |
Nơi lưu |
Chỉ số xếp giá |
Loại tài liệu |
Bản sao |
Tình trạng |
Thành phần |
Đặt mượn |
1
|
LV01498
|
Kho Luận văn
|
515.842 C108H
|
Luận án, luận văn
|
1
|
|
|
|
|
|
|
|