Dòng Nội dung
1
2
Ảnh hưởng của khuyết tật điểm lên hằng số mạng của bán dẫn silic : Khoá luận tốt nghiệp đại học / Đỗ Thị Hồng Nhung ; TS. Phan Thị Thanh Hồng (Hướng dẫn khoa học)

H. : Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành], 2022
30tr. : minh họa ; 29cm

Tìm hiểu về cấu trúc tinh thể của bán dẫn Si; Xây dựng lại các biểu thức giải tích xác định hằng số mạng của bán dẫn khi lý tưởng và khi có khuyết tật điểm; Tính số theo các biểu thức giải tích thu được cho Si.
Đầu mục:0 (Lượt lưu thông:0) Tài liệu số:1 (Lượt truy cập:1)
3
Apply Feynman's rules for some Higgs Boson decay process in Zee-Babu model : Khoá luận tốt nghiệp đại học / Pham Thuy Ha ; Mr. Tran Trung Hieu (Hướng dẫn khoa học)

H. : Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành], 2022
34p. ; 29cm

Áp dụng quy tắc Feynman cho một số quá trình phân rã Boson Higgs ở mô hình Zee-Babu
Đầu mục:0 (Lượt lưu thông:0) Tài liệu số:1 (Lượt truy cập:1)
4
Bất biến Gauge : Khoá luận tốt nghiệp đại học : Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết / Hoàng Thị Mai Phương; PGS.TS. Nguyễn Thị Hà Loan (hướng dẫn khoa học)

H. : Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành], 2010
30tr. ; 29cm


Đầu mục:1 (Lượt lưu thông:0) Tài liệu số:0 (Lượt truy cập:0)
5
Bổ chính bậc cao của năng lượng và hàm sóng trong lý thuyết nhiễu loạn : Khoá luận tốt nghiệp đại học : Chuyên ngành: Vật lý / Trần Kim Phượng; TS.Trần Thái Hoa(hướng dẫn khoa học)

H. : Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành], 2011
49tr. ; 29cm


Đầu mục:1 (Lượt lưu thông:0) Tài liệu số:0 (Lượt truy cập:0)