Thư Viện Trường Đại Học Sư Phạm Hà Nội 2
Bộ GD&ĐT
Tra cứu văn bằng
E-Learning
E-Office
Trang chủ
Giới thiệu
Cơ cấu tổ chức
Sứ mệnh và tầm nhìn
Chức năng nhiệm vụ
Cơ sở vật chất
Lịch sử hình thành và phát triển
Nội quy
TRA CỨU
Tìm nâng cao
Tìm lướt
Tìm chuyên gia
Tra cứu liên thư viện
Tạp chí
HỖ TRỢ
Hỏi đáp nhanh
Hướng dẫn sử dụng Thư viện
Hướng dẫn đăng ký khóa học
DỊCH VỤ THƯ VIỆN
Biểu mẫu
Cung cấp bản sao tài liệu
Dịch vụ thông tin chọn lọc
Cung cấp không gian và tiện ích
Dịch vụ tư vấn thông tin
Giới thiệu tài liệu mới
Diễn đàn
100
|
Đăng nhập
TRÌNH ĐƠN TRA CỨU
Tìm nâng cao
Tìm chuyên gia
Tài liệu mới
Tìm lướt
Tra cứu liên thư viện
Sắp xếp:
Nhan đề
Tác giả
Ký hiệu PL/XG
Năm xuất bản và Nhan đề
Năm xuất bản và Tác giả
Tăng dần
Giảm dần
Dòng
Nội dung
1
Lý thuyết phiếm hàm mật độ và các cách tiếp cận khi nghiên cứu bán dẫn : Khóa luận tốt nghiệp Đại học / Nguyễn Văn Hưng; Phạm Thị Minh Hạnh (Hướng dẫn khoa học)
H. : Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2 [phát hành], 2018
42tr. ; 29cm +
Đầu mục:1 (Lượt lưu thông:0)
Tài liệu số:1 (Lượt truy cập:0)
2
Tinh thể nano đơn pha Si1-xGex trong tính toán lí thuyết phiếm hàm mật độ sử dụng gần đúng mật độ địa phương. / Trần Văn Quảng,…
2018.-Số 53, tr.19-27
Bài báo này sử dụng lí thuyết phiếm hàm mật độ trong gần đúng mật độ địa phương thẹc hiện nghiên cứu sự tạo thành hệ tinh thể đơn pha Si1-xGex, với các giá trị khác nhau của thành phần x của Ge trong tinh thể. Kết quả tính toán tổng năng lượng thông qua các di chuyển nguyên tử trong cấu trúc cho thấy sự tồn tại của pha đơn tinh thể là bền vững.